9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1499DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1499DH-T1-GE3参考价格0.70000美元。Vishay Siliconix SI1499DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6。您可以下载SI1499DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1499DH-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI1480DH-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-3633包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为130pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为200mOhm@1.9A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5nC@10V，Pd功耗为2.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为13 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第h栅极-源极端电压为1.6 V至3 V，Rds导通漏极-源极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为1.8nC，正向跨导最小值为3.7S，沟道模式为增强。
Si1499DH-T1-E3是MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在5V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-8 V，提供单位重量功能，如0.000265盎司，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及46 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的SC-70-6（SOT-363），系列为TrenchFETR，上升时间为40 ns，Rds On Max Id Vgs为78 mOhm@2A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为78 mOhm，Power Max为2.78W，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI1499DH-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为650pF@4V，Id连续漏极电流为1.6A，栅极电荷Qg Vgs为16nC@4.5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为60ns，漏极到源极电压Vdss为8V，电流连续漏极Id 25°C为1.6A（Tc），配置为单一，信道模式是增强。
Si1499DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6，包括单一配置，它们被设计为以1.6 a Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，安装类型被设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作SOT-363-6包装箱。此外，包装为Reel，器件提供2.5 W Pd功耗，器件具有78 mOhms的Rds漏极-源极电阻，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.000265盎司，Vds漏极源极击穿电压为-8 V，Vgs栅极-源极电压为5V。
SI1489EDH-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363，包括TrenchFET商品名，它们设计用于SOT-363-6封装盒，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了配置功能，如单体，技术设计用于Si，以及卷筒封装，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，Vgs栅极-源极电压为5V，器件提供48 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有2.8 W的Pd功耗，Id连续漏极电流为2A，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000265盎司，其最大工作温度范围为+150℃，Vds漏极-源极击穿电压为-8 V，其最低工作温度范围为-55 C。
