9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16570Q5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16570Q5BT价格参考2.93000美元。德州仪器CSD16570Q5BT封装/规格：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON。您可以下载CSD16570Q5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16556Q5B是MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MOSFET，包括CSD16556Q 5B系列，它们设计用于卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为37nC，正向跨导Min为2S。
CSD16570Q5B是MOSFET 25-V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002677盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD16570Q5B，该器件提供820 uOhms Rds漏极源极电阻，该器件具有一个封装卷，封装盒为SON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为456 a。
CSD16415Q5T是MOSFET N沟道NexFET功率MOSFET 8-VSON-CLIP-55至150，包括卷筒包装，它们设计用于CSD16415Q 5系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
