9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7112DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7112DN-T1-GE3参考价格1.83000美元。Vishay Siliconix SI7112DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8。您可以下载SI7112DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7110DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在数据表注释中，用于SI7110DN-1GE3，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET/PPowerPAK，以及PowerPAK-1212-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为13.5A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
SI7112DN-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如65 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SI71xxDx，器件的上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为7.5mOhms，Pd功耗为1.5W，零件别名为SI7112DN-T1，包装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.3 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7112DN-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI7112DN-T1在QFN-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
