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MGSF2N02ELT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.19218 1.19218
  • 库存: 89
  • 单价: ¥1.19218
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.19
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 最大功耗 1.25W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.8A(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 3.6A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.5 nC@4 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150 pF@5V
  • 材质 -

MGSF2N02ELT1G 产品详情

这些微型表面贴装MOSFET低RDS(on)确保了最小的功率损耗和节约能源,使这些器件非常适合用于空间敏感的电源管理电路。

特色

  • 低RDS(开启)提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型SOT-23表面安装封装节省了电路板空间
  • 高温下规定的IDSS
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换器
  • 便携式和电池供电产品的电源管理,例如:计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话


(图片:引出线)

MGSF2N02ELT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MGSF2N02ELT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MGSF2N02ELT1G价格参考¥1.192181,你可以下载 MGSF2N02ELT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MGSF2N02ELT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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