RD3L140SPFRATL
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 10.57463 | 10.57463 |
10+ | 9.43025 | 94.30256 |
100+ | 7.35154 | 735.15440 |
500+ | 6.07317 | 3036.58600 |
1000+ | 4.79465 | 4794.65500 |
2500+ | 4.47502 | 11187.56500 |
5000+ | 4.35877 | 21793.88500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥10.57463
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.57
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC@10 V
- 最大功耗 20W(Tc)
- 供应商设备包装 TO-252
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1900 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 84毫欧姆 @ 14A, 10V
- 材质 -
RD3L140SPFRATL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RD3L140SPFRATL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RD3L140SPFRATL价格参考¥10.574634,你可以下载 RD3L140SPFRATL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RD3L140SPFRATL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...