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RS3E135BNGZETB

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.09804 7.09804
10+ 6.32305 63.23052
100+ 4.92951 492.95180
500+ 4.07195 2035.97900
1000+ 3.21476 3214.76100
2500+ 3.00044 7501.11000
5000+ 2.92251 14612.55000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.09804
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.10
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.3 nC @ 4.5 V
  • 最大功耗 2W(Tc)
  • 供应商设备包装 8-SOP
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.5A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 680 pF @ 15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 14.6欧姆@9.5A,10V
  • 材质 -

RS3E135BNGZETB 产品详情

RS3E135BNGZETB所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RS3E135BNGZETB 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RS3E135BNGZETB价格参考¥7.098042,你可以下载 RS3E135BNGZETB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RS3E135BNGZETB规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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