增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 指定雪崩能量
- 高温下规定的IDSS和VDS(开)
应用
- 电源
- 电源转换器电路
- 电机控制
- 桥接电路
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.80592 | 11.80592 |
10+ | 10.59636 | 105.96363 |
100+ | 8.51765 | 851.76500 |
500+ | 6.99780 | 3498.90000 |
1000+ | 6.36158 | 6361.58400 |
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增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
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