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MTP3055VL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.80592 11.80592
10+ 10.59636 105.96363
100+ 8.51765 851.76500
500+ 6.99780 3498.90000
1000+ 6.36158 6361.58400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.22650
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.81
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规格参数

  • 构造/结构 -
  • 高度(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V
  • 最大功耗 48W (Tc)
  • 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 570 pF @ 25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC @ 5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@6A,5V
  • 色彩/颜色 -

MTP3055VL 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 指定雪崩能量
  • 高温下规定的IDSS和VDS(开)

应用

  • 电源
  • 电源转换器电路
  • 电机控制
  • 桥接电路
MTP3055VL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MTP3055VL 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MTP3055VL价格参考¥11.226495,你可以下载 MTP3055VL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MTP3055VL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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