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PSMN1R5-30BLEJ是MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+标签）、to-263AB，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为401W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为14934pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.5 mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为2.15V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为228nC@10V，Pd功耗为401 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为99.2 ns，上升时间为156.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为191.8ns，典型导通延迟时间为100.6ns，Qg栅极电荷为228nC，信道模式为增强。
PSMN1R5-25YL，115是MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK，包括2.15V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与LFPAK、Power-SO8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如1.5 mOhm@15A，10V，Power Max设计为109W，以及磁带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备也可以用作SC-100，SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件具有4830pF@12V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为76nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc）。
PSMN1R5-25YL，带有NXP制造的电路图。PSMN1R5-25YL在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R5-30YL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN1R5-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
