9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2067LVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2067LVT-7参考价格为0.47000美元。Diodes Incorporated DMP2067LVT-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26。您可以下载DMP2067LVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2035U-7是MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23，包括DMP2035系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为810mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1610pF@10V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为3.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15.4nC@4.5V，Pd功耗为810mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42.4 ns，上升时间为12.4ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-3.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为94.1nS，典型导通延迟时间为16.8ns，Qg栅极电荷为15.4nC，正向跨导Min为14S。
DMP2035U，带有DIODES制造的用户指南。DMP2035U采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
DMP2035U-7-F，电路图由DIODES制造。DMP2035U-7-F采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
