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IPD30N10S3L34ATMA1是MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T，包括XPD30N10系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD30N30S3L-34 IPD30S3L3L4XT SP000261248，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为57 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为25.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为24nC，沟道模式为增强。
IPD320N20N3 G是MOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于200 V，提供单位重量功能，如0.139322盎司，典型的开启延迟时间设计为11纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为OptiMOS 3，上升时间为9 ns，漏极-源极电阻Rds为32 mOhms，Qg栅极电荷为22 nC，Pd功耗为136 W，部件别名为IPD320N20N3GBTMA1 IPD320N3GBXT SP000677838，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏极电流为34 A，正向跨导最小值为55 S 28 S，下降时间为4 ns，配置为单一。
IPD30P06P，带有infineon制造的电路图。IPD30P06P采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
