9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7117DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7117DN-T1-GE3价格参考1.38000美元。Vishay Siliconix SI7117DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK。您可以下载SI7117DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI7117DN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7117DN-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7117DNV-E3中使用的零件别名，该SI7117DN-E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为12.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为150V，输入电容Ciss Vds为510pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.17A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.2 Ohm@500mA，10V，Vgs的最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，Pd功耗为3.2W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-150 V，Rds漏极源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为16 ns，典型的开启延迟时间为7ns，信道模式为增强。
SI7116DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如36 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作TrenchFET/PPowerPAK商标。此外，技术为Si，器件为SI71xxDx系列，器件具有10 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为7.8 mOhms，Pd功耗为3.8 W，零件别名为SI7116DN-GE3，封装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为16.4 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7116DN-T1-GE3 7116，带有VISHAY制造的电路图。SI7116DN-T1-GE3 7116采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
