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CSD17579Q5AT是MOSFET 30V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD17579Q 5A系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000847盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于VSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有36 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为46 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为5.4nC，正向跨导最小值为36S，沟道模式为增强。
CSD17579Q3AT是MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如2 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17579Q3A系列，上升时间为5 ns，漏极源极电阻Rds为11.8 mOhms，Qg栅极电荷为5.3 nC，Pd功耗为29 W，封装为卷轴，封装外壳为VSONP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为39 A，正向跨导最小值为37 S，下降时间为1 ns，配置为单一。
CSD17579Q5A是MOSFET 30V N-Chan NexFET？Pwr MOSFET 8-VSONP，包括25 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表注释中显示了用于1信道的信道数，该信道提供SON-8等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及13.3 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可作为CSD17579Q5A系列使用。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个N沟道的晶体管类型，单位重量为0.002677盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V。
CSD17579Q3A是MOSFET CSD17579Q4A 30 V 8-VSONP，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装，产品名称显示在数据表注释中，用于NexFET，提供CSD17579Q3A等系列功能。
