9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT8012LK3-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT8012LK3-13参考价格0.99000美元。Diodes Incorporated DMT8012LK3-13封装/规格：MOSFET N-CH 80V 44A TO252。您可以下载DMT8012LK3-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMT8012LFG-13，包括DMT80系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为3.5ns，上升时间为3.8ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为9.5A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.5ns，典型接通延迟时间为4.9ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMT8012LFG-7，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，具有0.002540 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为4.9 ns，以及16.5 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有DMT80系列，上升时间为3.8 ns，漏极-源极电阻Rds为14 mOhms，Qg栅极电荷为15 nC，Pd功耗为2.2 W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI-3333，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为3.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMT8012LPS-13，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于1信道数的信道，数据表说明中显示了用于PowerDI5060-8的封装盒，该PowerDI5060提供了卷盘等封装功能，系列设计用于DMT8012，以及Si技术，该器件还可以用作N信道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件的单位重量为0.003386盎司。
DMT8012LK3-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N信道，提供DMT8012等系列功能，晶体管类型设计用于1 N信道以及1信道数量的信道。
