9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLR110TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR110TRPBF参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix IRLR110TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK。您可以下载IRLR110TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRLR110TRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRLR110PBF是MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp，包括管封装，它们设计为以0.050717 oz单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为4.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为9.3ns，沟道模式为增强。
IRLR110TR是MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如9.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为47ns，器件的漏极电阻为540mOhms，Pd功耗为2.5W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.3A，下降时间为17ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRLR110TRL是MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了17 ns的下降时间，提供了4.3 a等Id连续漏电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为2.5W，Rds漏极-源极电阻为540mOhms，上升时间为47ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为16ns，并且典型的接通延迟时间为9.3ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为10V。
