9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19532Q5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19532Q5BT价格参考2.94000美元。德州仪器CSD19532Q5BT封装/规格：MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON。您可以下载CSD19532Q5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD19532Q5B是MOSFET N-CH 100V 100A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为4810pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为100A（Ta），最大Id Vgs的Rds为4.9 mOhm@17A，10V，Vgs的最大Id为3.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为62nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为6ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为124A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.6V，Rds导通-源极电阻为4.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为48nC，正向跨导Min为84S，信道模式为增强。
CSD19532KTT是MOSFET CSD19532Q5B Pkg自旋，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为14 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为CSD19532KTT系列，该器件的上升时间为3 ns，漏极-源极电阻Rds为6.6 mOhms，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为250 W，封装为卷轴式，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为136 A，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19531Q5AT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19531Q 5AT采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 100 V、Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 100伏、5.3mOhm、NexFET功率MOSFET”。
CSD19532KTTT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19532KTTT采用TO-263-3封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 100 V、N沟道100V 200A（Ta）250W（Tc）表面安装DDPAK/TO-263-3、Trans MOSFET N-CH Si 100V 200 A 4引脚（3+Tab）TO-263 T/R、MOSFET 100伏、N沟道NexFET Pwr MOSFET。
