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PSMN6R1-25MLDX

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK33 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.64946 5.64946
10+ 4.96862 49.68629
100+ 3.80759 380.75930
500+ 3.01000 1505.00200
1500+ 2.40804 3612.07050
3000+ 2.25754 6772.62000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.64946
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.65
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.7 nC@10 V
  • 最大功耗 42W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
  • 场效应管特性 肖特基二极管(体)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@1毫安
  • 供应商设备包装 LFPAK33
  • 包装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5导联)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.24毫欧姆 @ 15A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 702 pF @ 12 V
  • 材质 -

PSMN6R1-25MLDX 产品详情

PSMN6R1-25MLDX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PSMN6R1-25MLDX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PSMN6R1-25MLDX价格参考¥5.649462,你可以下载 PSMN6R1-25MLDX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PSMN6R1-25MLDX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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