9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR818DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR818DP-T1-GE3参考价格为1.40000美元。Vishay Siliconix SIR818DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8。您可以下载SIR818DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR804DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR804DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2450pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为7.2mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为76nC@10V，Pd功耗为104W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第N栅极-源极端电压为3 V，Rds漏极源极电阻为7.2 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38nS，典型接通延迟时间为11nS，Qg栅极电荷为50.8nC，正向跨导Min为73S。
SIR808DP-T1-GE3是MOSFET 25伏特20安培29.8瓦，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如5 ns，典型的关闭延迟时间设计为14 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIRxxxDP系列，该器件具有10 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为7.4 mOhms，Qg栅极电荷为15.2 nC，Pd功耗为29.8 W，零件别名为SIR808DP-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，且Id连续漏极电流为20A，且正向跨导Min为36S，且下降时间为7ns，且配置为单一。
SIR818DP，带有VISHAY制造的电路图。SIR818DP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
