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CSD18532Q5B是MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为5070pF@30V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为100A（Ta），最大Id Vgs的Rds为3.2mOhm@25A，10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为58nC@10V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.1 ns，上升时间为7.2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为172A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型导通延迟时间为5.8ns，Qg栅极电荷为44nC，正向跨导Min为143S。
CSD18532NQ5BT是MOSFET 60-V N沟道NexFET功率MOSFET，包括2.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术提供，该器件具有CSD18532NQ5B系列，上升时间为8.7 ns，漏极上的Rds源极电阻为4.4 mOhms，Qg栅极电荷为49 nC，Pd功耗为156 W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-CLIP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为151 A，正向跨导最小值为140 S，下降时间为2.7 ns，配置为1 N信道，信道模式为增强。
CSD18532NQ5B是MOSFET 60V NCh NexFET功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在2.7 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于140 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如163 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用VSON-Clip-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.2W，Qg栅极电荷为49nC，Rds漏极源极电阻为3.5mOhm，上升时间为8.7ns，系列为CSD18532NQ5B，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为8.2ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V。
