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SI1308EDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323，包括SI1308EDL系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SI1300BDL-T1-GE3SI1304BDL-T1-GE1，提供单位重量功能，如0.004395盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该装置也可用作SOT-323-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单信道配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为400mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为1.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为0.6V至1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为132mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为2ns，Qg栅极电荷为1.4nC，正向跨导Min为5S，信道模式为增强。
SI1315DL-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3，包括-0.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-8 V，提供单位重量功能，如0.004395 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件具有15 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为500 mOhms，Qg栅极电荷为1.7 nC，Pd功耗为400 mW，部件别名为SI1305DL-T1-GE3，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-323-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-900 mA，正向跨导最小值为3 S，下降时间为8 ns，配置为单一。
SI13-0D，电路图由BESTA制造。SI13-0D采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
SI13132CNU，具有由SILICON制造的EDA/CAD模型。SI13132CNU在MQFN88封装中提供，是IC芯片的一部分。
