9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7139DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7139DP-T1-GE3参考价格1.62000美元。Vishay Siliconix SI7139DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7139DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7137DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7137DP-GE3中使用的零件别名，该SI7137DPE-GE3提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为20000pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.95 mOhm@25A，10V，Vgs的最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为585nC@10V、Pd功耗为104W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为110纳秒，上升时间为150纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为42 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为1.95毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为100ns，Qg栅极电荷为183nC，正向跨导最小值为95s，信道模式为增强。
SI7137DP-TI-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7137DP-TI-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7138DP-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8。SI7138DP-T1-E3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8、N沟道60V 30C（Ta）5.4W（Ta）、96W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 60V 19.7A 8引脚PowerPAK SO T/R。
