9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQS460ENW-T1_GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SQS460ENW-T1_GE3参考价格为0.93000美元。Vishay Siliconix SQS460ENW-T1_GE3封装/规格:MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W。您可以下载SQS460ENW-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQS24B5101GSLF,带有引脚细节,包括SQSxxB系列,它们设计用于管包装,高度如数据表注释所示,适用于0.069英寸(1.75mm),其工作温度范围为-55°C~125°C,安装类型设计用于表面安装,以及0.341英寸长x 0.154英寸宽(8.65mm x 3.90mm)尺寸尺寸,该设备也可用作24-QSOP、24-SSOP供应商设备包。此外,公差为±2%,该器件的温度系数为±100ppm/°C,该器件具有电路型母线,电阻欧姆为5.1k,电阻器数量为23,引脚数量为24,每个元件的功率为100mW,封装外壳为24-SSOP(0.154“,3.90mm宽)。
SQS24B5001GSLF和用户指南,包括±2%的公差,它们设计为在±100ppm/°C的温度系数下运行。数据表注释中显示了用于24-QSOP、24-SSOP的供应商设备包,其尺寸尺寸特性如0.341“L x 0.154”W(8.65mm x 3.90mm),系列设计为在SQSxxB中工作,以及5k电阻欧姆,该设备也可以用作每个元件100mW功率。此外,包装为管式,该设备采用24-SSOP(0.154“,3.90mm宽)包装箱,其工作温度范围为-55°C~125°C,电阻器数量为23,引脚数量为24,安装类型为表面安装,高度为0.069”(1.75mm),电路类型为总线式。
SQS405EN-T1_GE3,带有电路图,其最大工作温度范围为+175 C,它们设计用于卷筒包装,系列如数据表注释所示,用于SQ系列,提供Si等技术特性,商品名设计用于TrenchFET,以及P沟道晶体管极性,该器件还可以用作-12V Vds漏极-源极击穿电压。
SQS423EN-T1_GE3,带EDA/CAD型号,包括TrenchFET商品名,它们设计用于SQ系列系列,技术如数据表注释所示,用于Si,提供卷轴等封装功能,晶体管极性设计用于P通道,其最大工作温度范围为+175 C,该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。