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SI7652DP-T1-GE3是MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm@10V，包括卷筒封装，它们设计用于SI7652DP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.9W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为15 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为18.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强型。
SI7652DP-T1-E3是MOSFET 30V 15A 3.9W，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在12 ns上升时间内提供，器件具有18.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.9 W，零件别名为SI7652DP-E3，封装为卷轴，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为14 ns，配置为单一，通道模式为增强。
SI7652DP P/b，带有VISHAY制造的电路图。SI7652DP P/b采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SI7652DP-T1-E3 P/B，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7652DP-T1-E3 P/B采用QFN/8封装，是IC芯片的一部分。
