9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7772DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7772DP-T1-GE3参考价格为0.85000美元。Vishay Siliconix SI7772DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7772DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7758DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI7758DP GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有6.25 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为34.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为2.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为53ns，沟道模式为增强。
SI7748DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于506600 mg，提供典型的开启延迟时间功能，如36 ns，典型的关闭延迟时间设计为44 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16 ns，器件的漏极-源极电阻为4.8 mOhms，Pd功耗为4.8 W，零件别名为SI7748DP-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为23.5 A，下降时间为16 ns，配置为单肖特基二极管，通道模式为增强型。
SI7748DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7748DP在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
