9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR424DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR424DP-T1-GE3参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix SIR424DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8。您可以下载SIR424DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR422DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR422DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为34.7W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1785pF@220V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为6.6mOhm@20A、10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为48nC@110V，Pd功耗为34.7W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs第二栅极-源极端电压为1.2 V至2.5 V，Rds漏极源极电阻为6.6 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为16.1nC，正向跨导Min为70S。
SiR422DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SiR422DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SiR424DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR424DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
