9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19505KCS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19505KCS价格参考1.61000美元。德州仪器CSD19505KCS封装/规格：MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3。您可以下载CSD19505KCS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD19503KCS是MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET，包括CSD19503KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为188 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为94A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导最小值为110S，并且信道模式是增强。
CSD19502Q5B是MOSFET N-CH 3.4mOhm 80V功率MOSFET，包括2.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为22 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD19502Q5B系列，上升时间为6纳秒，漏极源极电阻Rds为3.4毫欧，Qg栅极电荷为48 nC，Pd功耗为3.2 W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为138 A，正向跨导最小值为88 S，下降时间为7 ns，配置为单一。
CSD19502Q5BT是TI制造的“MOSFET N沟道”。CSD19502Q 5BT采用VSON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET N-沟道、Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8引脚VSON-CLIP EP T/R、MOSFET N信道、3.4mOhm 80V”。
