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PSMN011-60MSX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及三重共源配置，该设备也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为91W，其最大工作温度范围为+175C，其最小工作温度范围是-55C，下降时间为9.18ns，上升时间为8.46ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为61A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，第Vgs栅极源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为11.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.9ns，典型接通延迟时间为6.7ns，Qg栅极电荷为23nC，沟道模式为增强。
PSMN011-80YS，115是MOSFET N-CH 80V LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于11 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如117W，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2800pF@40V输入电容Cis-Vds，器件具有45nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为80V，25°C电流连续漏极Id为67A（Tc）。
PSMN012-100YS，带有NXP制造的电路图。PSMN012-100YS采用LFPAK封装，是FET的一部分-单体。
