9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN6R4-30MLDX，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN6R4-30MLDX参考价格为0.81000美元。Nexperia美国股份有限公司PSMN6R4-30MLDX封装/规格：MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33。您可以下载PSMN6R4-30MLDX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN6R3-120PS是MOSFET N沟道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的沟道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供405 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为67.7 ns，上升时间为58.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为19.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为142.1ns，典型接通延迟时间为42.1ns，Qg栅极电荷为207.1nC。
带有用户指南的PSMN6R3-120ESQ，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于120 V，提供单位重量功能，如0.084199 oz，典型开启延迟时间设计为42.1 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有58.2 ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为6.7 mOhms，Qg栅极电荷为207.1 nC，Pd功耗为405 W，封装为管，封装盒为I2PAK-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为67.7 ns，配置为单一。
带有电路图的PSMN6R1-30YLDX，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于7.2 ns，提供Id连续漏电流功能，如66 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用LFPAK-4封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为47W，Qg栅极电荷为13.6nC，Rds漏极-源极电阻为6.5mOhm，上升时间为11ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为9.8ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.68V。
