9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR416DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR416DP-T1-GE3参考价格为1.42000美元。Vishay Siliconix SIR416DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8。您可以下载SIR416DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR414DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR414DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为83W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为4750pF@20V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.8mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为117nC@10V，Pd功耗为5.4W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为13 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2.5 V，Rds导通漏极-源极电阻为2.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为33ns，正向跨导最小值为102S，沟道模式为增强。
SIR410DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIRxxxDP系列，该器件具有15 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为5 mOhms，Pd功耗为4.2 W，零件别名为SIR410DP-GE3，包装为卷轴式，包装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为35 A，正向跨导最小值为70 S，下降时间为15 ns，配置为单一，信道模式为增强。
SIR410DP带有SI制造的电路图。SIR410DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
