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DMT8012LFG-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
1+ 7.31532 7.31532
10+ 6.51136 65.11367
100+ 5.07437 507.43760
500+ 4.19161 2095.80550
1000+ 3.30913 3309.13600
2000+ 3.08859 6177.18000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.31533
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.32
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 34 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1949 pF@40 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.5A (Ta), 35A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@12A,10V
  • 最大功耗 2.2W(Ta)、30W(Tc)

DMT8012LFG-7 产品详情

DMT8012LFG-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMT8012LFG-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMT8012LFG-7价格参考¥7.315329,你可以下载 DMT8012LFG-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMT8012LFG-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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