9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT8012LFG-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT8012LFG-7参考价格为1.01000美元。Diodes Incorporated DMT8012LFG-7封装/规格:MOSFET N-CH 80V PWRDI3333。您可以下载DMT8012LFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMT8012LFG-13,包括DMT80系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.002540盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术,该设备也可作为1信道数信道使用。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有2.2W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150℃,其最小工作温度范围是-55℃,下降时间为3.5ns,上升时间为3.8ns,Vgs栅源电压为20V,Id连续漏电流为9.5A,Vds漏极-源极击穿电压为80V,Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为16.5ns,典型接通延迟时间为4.9ns,Qg栅极电荷为15nC,沟道模式为增强。
带有用户指南的DMT8012LFG-7,包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于80 V,具有0.002540 oz等单位重量特性,典型开启延迟时间设计为4.9 ns,以及16.5 ns典型关闭延迟时间,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件采用Si技术,该器件具有DMT80系列,上升时间为3.8 ns,漏极-源极电阻Rds为14 mOhms,Qg栅极电荷为15 nC,Pd功耗为2.2 W,封装为卷轴式,封装外壳为PowerDI-3333,信道数为1信道,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为9.5 A,下降时间为3.5 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
带有电路图的DMT8012LPS-13,包括SMD/SMT安装样式,它们设计用于1信道数的信道,数据表说明中显示了用于PowerDI5060-8的封装盒,该PowerDI5060提供了卷盘等封装功能,系列设计用于DMT8012,以及Si技术,该器件还可以用作N信道晶体管极性。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件的单位重量为0.003386盎司。
DMT8012LK3-13具有EDA/CAD模型,包括Si技术,它们设计用于卷筒封装,晶体管极性显示在数据表注释中,用于N信道,提供DMT8012等系列功能,晶体管类型设计用于1 N信道以及1信道数量的信道。