STN4NF06L

Name: STN4NF06L
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7139858-STN4NF06L
Price: 6.156465 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 3.3W（Tc）供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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500+	3.91000	1955.00350
1000+	3.27393	3273.93600
4000+	3.27400	13096.03200

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳至261-4，至261AA
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.8V@250A.
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 340 pF @ 25 V
供应商设备包装 SOT-223
漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9 nC @ 5 V
最大功耗 3.3W（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@1.5A，10V
色彩/颜色 -

STN4NF06L 产品详情

该器件是一种N沟道STripFET II功率MOSFET，是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度，具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤，因此具有显著的制造再现性。

特色

异常v/dt能力
雪崩加固技术
100%雪崩测试
低阈值驱动

STN4NF06L 相关器件

型号	制造商	描述	价格
STN101050B301	伊顿 (Eaton)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V (Max) 最大钳位电压: 16伏供应商设备包装: DFN1006-2L 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ）安装类别: 表面安装	¥2.89716
STN061050BL15	伊顿 (Eaton)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V (Max) 最大钳位电压: 17伏供应商设备包装: DFN0603-2L 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ）安装类别: 表面安装	¥2.2453
STNRG011A		DISCRETE	¥0.00
STNRG012		DISCRETE	¥0.00
STNRG011ATR		DIGITAL COMBO MULTI-MODE PFC AND	¥0.00
STNRG328STR		DISCRETE	¥0.00
STN-5.0'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00
STN-1.0'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00
STN-10.0'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00
STN-2.5'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00

STN4NF06L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STN4NF06L 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STN4NF06L价格参考￥6.156465，你可以下载 STN4NF06L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STN4NF06L规格参数、现货库存、封装信息等信息！