9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3440ADV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3440ADV-T1-GE3参考价格为0.49000美元。Vishay Siliconix SI3440ADV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP。您可以下载SI3440ADV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si3437DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于Si3437DV-GE3的零件别名，该SI3437DVD-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为510pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.4A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为750mOhm@1.4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为19nC@10V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12 ns 14 ns，上升时间为11 ns 29 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-150 V，Rds漏极源极电阻为750 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28 ns 23 ns，并且典型的开启延迟时间是9ns 14ns，并且信道模式是增强。
SI3438DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为6-TSOP，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有35.5 mOhm@5A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为35.5 mOhms，最大功率为3.5W，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3438DV-GE3，包装为Digi-ReelR替代包装，包装盒为SOT-23-6薄型，TSOT-23-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为640pF@220V，Id连续漏电流为5.5 A，栅极电荷Qg Vgs为20nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为7.4A（Tc），配置为单一。
SI3438DV-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于10ns，提供Id连续漏极电流特性，如5.5A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TSOP-6封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为SI3438DV-E3，Pd功耗为2 W，Qg栅极电荷为5.3 nC，Rds漏极-源极电阻为35.5 mOhm，上升时间为17 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为16 ns，单位重量为0.000705oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SI34401BDY-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI34401BDY-T1-GE3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
