9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8806DB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8806DB-T2-E1参考价格为0.48000美元。Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1封装/规格：MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT。您可以下载SI8806DB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI8800EDB-T2-E1是MOSFET N-CH 20V MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如4-XFBGA、CSPBGA，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件采用4微脚供应商器件封装，该器件具有双重配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为80mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@8V，Pd功耗为900mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-源极电阻Rds为95mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为5.5nC，正向跨导Min为10S。
SI8802DB-T2-E1是MOSFET N-CH 8V MICROFOOT，包括700mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在5V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于8V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作4-Microfoot供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供54 mOhm@1A、4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有44 mOhm Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为4.3 nC，最大功率为500mW，Pd功耗为900 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-XFBGA，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Id连续漏极电流为3.5A，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，正向跨导最小值为13S，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为8V，并且配置为单一。
SI87XXSOIC8-KIT是KIT EVAL GW 8SOIC SI871X，包括接口、数字隔离器主要用途，它们设计用于与评估套件产品一起使用，系列如数据表注释所示，用于SI87XXSOIC8，提供用于评估功能的工具，如SI87xxSOC8，类型设计用于数字隔离器以及Si87xx实用IC部件。
SI87XXSDIP6-KIT，带EDA/CAD型号，包括SI87XXSDIP6系列，设计用于Si87xx实用IC部件，主要用途如数据表注释所示，用于接口、数字隔离器。
