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FDD306P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Ta) 最大功耗: 52W (Ta) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.53261 7.53261
10+ 6.73589 67.35897
100+ 5.25400 525.40000
500+ 4.33994 2169.97300
1000+ 3.63390 3633.90800
2500+ 3.63390 9084.77000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.73590
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.53
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.7A (Ta)
  • 最大功耗 52W (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@6.7A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1290 pF@6 V
  • 色彩/颜色 -

FDD306P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • -6.7A,-12V
  • RDS(ON)=28 mΩ@VGS=-4.5V
  • RDS(ON)=41 mΩ@VGS=-2.5V
  • RDS(开启)=90 mΩ@VGS=-1.8V
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD306P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD306P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD306P价格参考¥6.735897,你可以下载 FDD306P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD306P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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