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FDB3632

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 24.84314 24.84314
10+ 22.28640 222.86403
100+ 18.26224 1826.22480
800+ 15.54659 12437.27600
1600+ 14.89958 23839.33920
  • 库存: 0
  • 单价: ¥24.84315
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥24.84
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
  • 最大功耗 310W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6000 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)、80A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@80A,10V
  • 材质 -

FDB3632 产品详情

汽车N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor通过全面掌握质量、安全和可靠性标准,提供解决汽车市场复杂挑战的解决方案。

特色

  • RDS(ON)=7.5mΩ(典型值)@VGS=10V,ID=80A
  • QG(tot)=84nC(典型值)@VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低QRR体二极管
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合RoHS

应用

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 其他数据处理
FDB3632所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB3632 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB3632价格参考¥24.843147,你可以下载 FDB3632中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB3632规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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