9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT6009LSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT6009LSS-13参考价格为1.05000美元。Diodes Incorporated DMT6009LSS-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2。您可以下载DMT6009LSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMT6008LFG-13带有引脚细节，包括DMT60系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为4.4 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24.4ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为22.4nC，沟道模式为增强型。
DMT6008LFG-7带用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于12 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.002540 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及24.4 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有DMT60系列，上升时间为4.4ns，Rds漏极-源极电阻为6.5mOhms，Qg栅极电荷为22.4nC，Pd功耗为2.2W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI-3333，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMT6009LFG-13带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于DMT6009系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
DMT6009LFG-7带有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于DMT6009。
