9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8489EDB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8489EDB-T2-E1参考价格为0.49000美元。Vishay Siliconix SI8489EDB-T2-E1封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT。您可以下载SI8489EDB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI8489EDB-T2-E1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI8466EDB-T2-E1是MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供MICROFOET TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在4-UFBGA、WLCSP以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有4微英尺的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为780mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为8V，输入电容Cis-Vds为710pF@4V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为43mOhm@2A，4.5V，Vgs th Max Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V，Pd功耗为1.8W，下降时间为20ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为700mV，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为8V，Vgs第栅极-源极阈值电压为700mV，Rds漏极-源极电阻为43mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导Min为30S。
SI8463BB-B-IS1R是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括2.7 V~5.5 V电压源，它们设计用于2500Vrms电压隔离，单位重量如数据表注释所示，用于0.006637 oz，具有通用型、技术设计用于电容耦合以及2.7 V最小电源电压，该器件也可以用作5.5 V电源电压最大值。此外，供应商器件封装为16-SOIC，该器件为Si8463BB系列，该器件具有3.8ns、2.8ns的上升-下降时间类型，脉冲宽度失真最大值为2.5ns，传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns、9.5ns，产品为数字隔离器，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-40°C~125°C，通道数为6，隔离类型为电容耦合，隔离功率为否，输入侧1侧2为2016/3/3 0:00:00，数据速率为150Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），通道类型为单向。
SI8465DB-T2-E1是MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm@4.5V，包括单一配置，它们设计为在10 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于7S的正向跨导最小值，其提供Id连续漏极电流功能，如-3.8 a，其最大工作温度范围为+85 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用MicroFoot-4封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为1.8W，Qg栅极电荷为6nC，漏极源极电阻Rds为122mOhm，上升时间为20ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V。
