9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7326DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7326DN-T1-E3参考价格为0.95000美元。Vishay Siliconix SI7326DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8。您可以下载SI7326DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7322DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7322DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7322DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为750pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为18A（Tc），最大Id Vgs的Rds为58 mOhm@5.5A，10V，Vgs的最大Id为4.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为3.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.5A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为58mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型导通延迟时间为10s，沟道模式为增强。
SI7322DN-T1-E3是MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如12 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为10 ns，器件的漏极电阻为58 mOhms Rds，器件的Pd功耗为3.8 W，部件别名为SI7322DN-E3，封装为卷轴式，封装外壳为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.5 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7326DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7326DN在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
