9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3460BDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3460BDV-T1-GE3参考价格为0.95000美元。Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP。您可以下载SI3460BDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3460BDV-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3460BD V-E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为860pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为27mOhm@5.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为24nC@8V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为6 ns 5 ns，上升时间为60 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为27 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25 ns，并且典型的开启延迟时间是7ns 5ns，并且信道模式是增强。
Si3460BDV-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns 5 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns 15 ns，器件的漏极-源极电阻为27 mOhms，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3460BDV-GE3，封装为卷轴，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.7 A，下降时间为6 ns 5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI3459DV-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP。SI3459DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP、P沟道60V 2.2V（Tc）2W（Ta）表面安装6-TSOP和Trans-MOSFET P-CH 60 V 2.2A 6-引脚TSOP T/R。
SI3459DV-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI3459DV-T1-GE3采用TSOP-6封装，是IC芯片的一部分。
