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CSD17313Q2是MOSFET N-CH 30V 5A 6SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计为在6-WDFN暴露焊盘以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有6-WSON（2x2）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为340pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为30mOhm@4A，8V，Vgs的最大Id为1.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.7nC@4.5V，Pd功耗为2.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.2ns，典型导通延迟时间为2.8ns，Qg栅极电荷为2.1nC，并且正向跨导Min为16S。
CSD17313Q2Q1T是MOSFET Automotive 30-V N沟道NexFET？功率MOSFET 6-WSON-55至150，包括1.3 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在+10 V/-8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如2.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为4.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该系列为CSD17313Q2Q1，器件的上升时间为3.9 ns，器件的漏极-源极电阻为24 mOhms，Qg栅极电荷为2.1 nC，Pd功耗为17 W，封装为卷轴式，封装盒为WSON-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，正向跨导最小值为16S，下降时间为1.3ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD17313Q2Q1是MOSFET N-CH 30V 5A 6SON，包括单一配置，它们设计为在1.3 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于16 S的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流特性，如5A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用WSON-FET-6封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为2.3W，Qg栅极电荷为2.1nC，Rds漏极源极电阻为32m欧姆，上升时间为3.9ns，系列为CSD17313Q2Q1，技术为Si，商品名为NexFET，并且晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为4.2ns，典型接通延迟时间为2.8ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为10V，Vgs栅-源极阈值电压为1.3V。
CSD17313Q2T是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17313Q1T以SON-6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、Trans MOSFET N-CH Si 30 V 7.3A 6引脚WSON EP T/R、MOSFET 30伏、N沟道NexFET功率MOSFET”。
