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SI8410-C-IS是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC，包括通用型，设计用于管式包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，提供电容耦合等技术功能，其工作温度范围为-40°C~125°C，以及1个通道，该设备还可以用作2.375 V~5.5 V电源。此外，供应商设备包为8-SOIC，该设备以150Mbps数据速率提供，该设备具有单向信道类型，电压隔离为2500Vrms，升降时间类型为2ns、2ns，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/1/1 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs，传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns，9.5ns，脉宽失真最大值为3.5ns。
SI8410-B-IS是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC，包括2.375 V~5.5 V电压源，设计用于2500Vrms电压隔离，类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供电容耦合等技术特性，供应商设备包设计用于8-SOIC，以及2ns、2ns上升-下降时间类型，该器件还可以用作7.5ns脉冲宽度失真最大值。此外，传播延迟tpLH tpHL最大值为35ns，35ns，该器件具有8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-40°C~125°C，通道数为1，隔离功率为No，输入侧1侧2为2000/1/1 0:00:00，数据速率为10Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs，通道类型为单向。
SI8410-C-ISR，电路图由SILICON制造。SI8410-C-ISR采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
