9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS892DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS892DN-T1-GE3参考价格为1.67000美元。Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8。您可以下载SIS892DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS890DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，零件别名如数据表注释所示，用于SIS890DN-GE3，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为双通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为802pF@50V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为23.5mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为29nC@10V，Pd功耗为52W，Vgs栅极-源极电压为3V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3v，Rds漏极源极电阻为23.5mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强。
SIS892ADN-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，该器件也可以用作硅技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR 1212-8，该设备以TrenchFETR系列提供，该设备具有33 mOhm@10A、10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为33 mOhms，Qg栅极电荷为6.1 nC，功率最大值为52W，Pd功耗为52 W，部件别名为SIS892ADN-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为550pF@50V，Id连续漏极电流为28A，栅极电荷Qg Vgs为19.5nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为28A（Tc），配置为单一。
SIS862DN-T1-GE3是MOSFET 60V8.5mOhm@10V40A N-Ch G-IV，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于5 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，例如60 S，Id连续漏电流设计为在40 a下运行，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有PowerPAK-1212-8封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为52 W，Qg栅极电荷为8.7 nC，Rds漏极-源极电阻为8.5 mOhms，上升时间为5 ns，该系列为SISxxxDN，技术为Si，商品名为ThunderFET TrenchFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型开启延迟时间为12ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgsth栅极-源极阈值电压为1.5V至2.6V。
