LFPAK33中的N沟道36.6m标准级MOSFET，专为高功率PoE应用而设计
新的标准和专有方法使以太网供电（PoE）系统能够向每个供电设备（PD）提供90W的功率。此类解决方案在“软启动”、热管理和功率密度要求方面对电源设备（PSE）提出了更高的要求。
增强的前向偏置安全操作区域，可实现卓越的线性模式操作低Rdson，可实现低传导损耗超可靠的LFPAK33封装，可实现优异的热性能和坚固性非常低的IDSS
高功率PoE应用（60W及更高）IEEE802.3at和专有解决方案表1。符号VDS ID Ptot RDSon快速参考数据参数漏极-源极电压漏极电流总功耗条件Tj 25�C、 =25�CVGS 10伏；图1 Tmb=25�C图2 VGS=25�C图13 VGS 10 A；VDS=25�C图14；图30 nC最小典型最大值30 91单位A W
动态特性QGDQG（tot）EDS（AL）S栅极-漏极电荷总栅极电荷雪崩强度非重复漏源雪崩能量VGS 10 V；Tj（初始化）=25�C30a；Vsup100V；RGS 50；松开；图54 mJ
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表2。引脚mb引脚信息符号描述源极栅极安装座；连接到排水管
表3。订购信息包装名称PSMN040-100MSE LFPAK33说明塑料单端表面安装包装（LFPAK3）；4导联版本SOT1210型号
表4。标记代码标记代码M40E10型号PSMN040-100MSE表5。极限值符合绝对最大额定值系统（IEC 60134）。符号VDS VDGR VGS ID参数漏极-源极-漏极-栅极电压-栅极-源极电压-漏极电流VGS=25�C图1 VGS 10 V；Tmb=100�C图1 IDM Ptot Tstg
峰值漏电流总功耗存储温度本文件中提供的所有信息均受法律免责声明的约束。
LFPAK33中的N沟道36.6m标准级MOSFET，专为高功率PoE应用而设计
参数接点温度峰值焊接温度源漏二极管源极电流峰值源极电流Tmb 25�C脉冲；第10页�s第25天�C VGS 10 V；Tj（初始化）=25�C30a；Vsup100V；RGS 50；松开；图3
雪崩强度非重复漏极源雪崩能量54 mJ作为安装底座温度函数的连续漏电流
作为安装底座温度函数的标准化总功耗
