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TPH6400ENH,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta),57W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.95078 11.95078
10+ 10.70500 107.05006
100+ 8.60384 860.38410
500+ 7.06892 3534.46300
1000+ 5.85704 5857.04400
2000+ 5.50822 11016.45000
5000+ 5.50822 27541.12500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.95079
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.95
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 300A
  • 最大功耗 1.6W(Ta),57W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100 pF@100 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.2 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 64毫欧姆 @ 6.5A, 10V

TPH6400ENH,L1Q 产品详情

U-MOS-H是第八代高速沟槽结构MOSFET。U-MOS-H是一种高效MOSFET系列,专门设计用于AC-DC和DC-DC电源的二次侧。U-MOS-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的单元设计制造,在导通电阻和电容(如输入、反向传输和输出电容)之间实现了出色的权衡。U-MOS-H将有助于提高电源的效率。

特色

  • 装配底座:2.3 V
  • 装配底座:8.3 mΩ
  • 装配底座:6 mΩ
  • 装配底座:1050 pF
  • 装配底座:17 nC

应用

开关稳压器/DC-DC转换器
TPH6400ENH,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPH6400ENH,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPH6400ENH,L1Q价格参考¥11.950785,你可以下载 TPH6400ENH,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPH6400ENH,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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