9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMTH4007LK3-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMTH4007LK3-13参考价格为0.94000美元。Diodes Incorporated DMTH4007LK3-13封装/规格：MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252。您可以下载DMTH4007LK3-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMTH4005SPSQ-13带有引脚细节，包括DMTH4005系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI5060-8以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7.3 ns，上升时间为6.8 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为20.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.6ns，典型接通延迟时间为8.7ns，Qg栅极电荷为49.1NC，沟道模式为增强型。
DMTH4004SPSQ-13是MOSFET 40V N-Ch Enh FET低Rdson，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.003386 oz，典型开启延迟时间设计为9.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有DMTH4004系列，上升时间为6.7 ns，漏极-源极电阻Rds为2.7 mOhms，Qg栅极电荷为68.6 nC，Pd功耗为167 W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI5060-8，通道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为8.1 ns，通道模式为增强型。
DMTH4005SPS-13带电路图，包括卷筒包装，设计用于DMTH4005系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
DMTH4005SK3-13，带EDA/CAD模型，包括卷筒包装。
