FDN338P

Name: FDN338P
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 7140069-FDN338P
Price: 0.914054 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Ta）最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
100+	0.23738	23.73860
1000+	0.22394	223.94300
3000+	0.19930	597.90900
10000+	0.15349	1534.99000
50000+	0.14481	7240.75000

库存: 120000
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数量:
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规格参数

长（英寸） -
制造厂商广东友台半导体 (UMW)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A（Ta）
供应商设备包装 SOT-23-3
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
最大功耗 500mW (Ta)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 115毫欧姆@1.6A，4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 451 pF @ 10 V

FDN338P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

–1.6安培，–20伏特
RDS（开启）=115 mΩ@VGS=–4.5 V
RDS（开启）=155 mΩ@VGS=–2.5 V
快速切换速度
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
超级SOT™ -在相同的占地面积内，3提供了较低的RDS（ON）和比SOT23高30%的功率处理能力

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
电池管理
负载开关
蓄电池保护

FDN338P 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FDN-010	化学电子 (Chemtronics)	S/S .010" NEEDLE, 10/PK	¥1,616.99191
FDN-020	化学电子 (Chemtronics)	S/S .020" NEEDLE, 10/PK	¥1,932.89824
FDN360P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4171
FDN337N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.33541
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FDN338P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN338P 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN338P价格参考￥0.914054，你可以下载 FDN338P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN338P规格参数、现货库存、封装信息等信息！