9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP1045UFY4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP1045UFY4-7参考价格为0.52000美元。Diodes Incorporated DMP1045UFY4-7封装/规格：MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3。您可以下载DMP1045UFY4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP1045U-7是MOSFET P-CH 12V 4A SOT23，包括DMP1045系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有800 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为106.9 ns，上升时间为23.3 ns，Vgs栅源电压为+/-8 V，并且Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.55V，Rds导通漏极-漏极电阻为31mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为91.2ns，典型导通延迟时间为15.7ns，Qg栅极电荷为15.8nC，并且信道模式是增强。
DMP1022UFDF-7是MOSFET 12V P-Ch Enh模式19Vgs 2712pF 28.6nC，包括-0.8 V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vg栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12 V，提供典型的开启延迟时间功能，如25.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为141 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP10系列，该器件的上升时间为39.8 ns，漏极-源极电阻Rds为32 mOhms，Qg栅极电荷为48.3 nC，Pd功耗为730 mW，封装为卷轴式，封装盒为UDFN2020-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-6.6 A，下降时间为147 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP1045U-7-F，电路图由Diodes制造。DMP1045U-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
