9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS434DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS434DN-T1-GE3参考价格为1.02000美元。Vishay Siliconix SIS434DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8。您可以下载SIS434DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiS434DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SiS434DN-GE3的零件别名，该SiS434DN/GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1530pF@20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7.6mOhm@16.2A，10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为52W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为25ns，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为40nC，并且正向跨导Min为60S。
SIS430DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于20 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如25 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SISxxxDN，器件的上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为5.6 mOhms，Pd功耗为3.8 W，零件别名为SIS430DN-GE3，包装为卷轴，封装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为35 A，正向跨导最小值为61 S，下降时间为10 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强型。
SIS430DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIS430DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIS434DN-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIS434DN-T1-E3在QFN8封装中提供，是IC芯片的一部分。
