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PSMN1R1-25YLC，115是MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作215W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为25V，该器件提供5287pF@12V输入电容Ciss Vds，该器件具有逻辑电平门、4.5V FET驱动功能，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.15 mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为83nC@10V。
PSMN1R1-30PL，127是MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB，包括2.2V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于to-220AB供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.3 mOhm@25A，10V，提供338W等功率最大功能，封装设计用于管内，以及to-220-3封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供14850pF@15V输入电容Ciss Vds，器件具有243nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc）。
PSMN1R1-40B，带有NXP制造的电路图。PSMN1R1-40BS在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
