久芯网

FDB0105N407L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 460A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 56.42219 56.42219
10+ 50.93931 509.39316
100+ 42.17178 4217.17850
800+ 37.69190 30153.52560
  • 库存: 0
  • 单价: ¥46.86156
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥56.42
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 TO-263-7
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 300W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.8毫欧姆@50A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 460A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 291 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 23100 pF@20 V
  • 材质 -

FDB0105N407L 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持工业应用的卓越耐用性和开关性能。

特色

  • VGS=10 V,ID=50 A时,最大rDS(开)=0.8 mΩ
  • VGS=6 V,ID=42 A时,最大rDS(开)=1.1 mΩ
  • 快速切换速度
  • 低栅极电荷
  • 用于极低RDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合RoHS

应用

  • 工业电机驱动
  • 工业电源
  • 工业自动化
  • 蓄电池保护
  • 不间断电源
  • 能量逆变器
  • 能量存储
  • 负载开关
  • 电池受损工具
  • 太阳能转化器
FDB0105N407L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB0105N407L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB0105N407L价格参考¥46.861563,你可以下载 FDB0105N407L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB0105N407L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部