9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN1R0-25YLDX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN1R0-25YLDX参考价格为2.00000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R0-25YLDX封装/规格：MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56。您可以下载PSMN1R0-25YLDX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PSMN1R0-25YLDX价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN0R9-30YLDX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为349W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为42.6 ns，上升时间为49.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds漏极-源极电阻为870uOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为38.1ns，Qg栅极电荷为51nC，沟道模式为增强。
带有NXP制造的用户指南的PSMN130-200D。PSMN130-200D在SOT428封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN165-200K是NXP制造的MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1。PSMN165-200K采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1。
PSMN165-200K+518是NXP制造的MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1。PSMN165-200K+518采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1。
